现对“III族氮化物的低温外延生长技术”科技成果登记信息进行为期30天的公示，联系人：河源市科学技术局钟辉昌联系电话：0762-3389039附件：“III族氮化物的低温外延生长技术”成果登记公示信息.xls河源市科学技术局2023年1月17日成果名称：III族氮化物的低温外延生长技术登记日期：2023-01-13完成单位：河源市众拓光电科技有限公司,中兴通讯股份有限公司,华南理工大学,深圳市奥伦德科技股份有限公司,佛山电器照明股份有限公司完成人员：李国强,王喜瑜,王文樑,朱奕光,衣新燕,吴质朴研究起止日期：2015-12-01至2019-08-31主要应用行业：制造业高新技术领域：新材料评价单位：中国有色金属学会评价日期：2021-10-07成果简介：III族氮化物材料属于半导体材料与器件领域，以III族氮化物为代表的第三代半导体材料生长与器件制备技术是解决外国对我国5G关键战略“卡脖子”技术封锁的关键所在，III族氮化物外延材料与器件已取得长足进步，但在材料生长、结构设计、器件制备方面始终面临瓶颈，具体表现为以下三个方面：（1）III族氮化物外延材料晶体质量依然较差，为克服III族氮化物材料与器件面临的问题，项目组沿“低温生长→结构设计→器件制备”全线程研究，大幅降低了III族氮化物外延材料缺陷密度至107cm-2的同时实现了多种器件外延材料的高效掺杂，器件能量转化效率普遍提升超过20%，（3）发明/改造了多套针对III族氮化物器件制作关键装备，实现了多种器件的生产效率提高超过25%，生产成本相对降低超过35%，同时器件性能超过国际同类主流产品20%，项目组研制了多种新型高性能III族氮化物器件：5G通讯用单晶AlN高性能SABAR滤波器。